外部量子效率eqe（nint）是一个微观过程复合载流子产生的光子数与复合载流子总数之比。因为无法去计数复合载流子总数和产生的光子总数。因此一般是通过测量LED输出的光功率来评价这一效率。直接跃迁过程比间接跃迁过程简单，其外部量子效率取决于少数载流子的辐射复合与非辐射复合的寿命。提高外量子效率主要在于提高材料的纯度、完整性和改进PN结制作工艺的特性，以降低非辐射复合中心的浓度。
外部量子效率eqe的测试方法与步骤：
（1）将待测CCD芯片和标准探测器，以及它们各自的驱动电路放置在暗室中，并调节测量系统各部分仪器的参数。打开光源的开关，使电流保证在8.4到8.6安，打开单色仪开关，打开皮安表开关和移动位移台的开关。
（2）通过上位机程序控制待测CCD芯片电子快门，调整CCD芯片的积分时间来控制CCD芯片的曝光时间和曝光量。（一般调好不用管）
（3）调节移动位移台，将标准件调到和激光光斑重合处（目前大约41500）。
（4）记录皮安表的数值，查表，找出对应波长的数值，用皮安表的数值除以查表得出的值，得出功率值。（正好皮安对皮瓦）
（5）盖住CCD相机的镜头，在CCD上位软件上，连接设备，连续采图，设置参数中输入对应波长，功率值后。再单击量子效率，完成暗图像的采集。
（6）调节移动位移台，将CCD工业相机调到激光光斑重合处，（目前大约是回到原点）。
（7）揭开CCD的镜头，让激光光斑打到CCD上，在设置参数中输入对应波长，功率值后，亮图上打上对勾。再单击量子效率，完成亮图像的采集。
（8）记录量子效率的值。
（9）在单色仪的上位软件里，设定对应波长，波长从400nm-780nm。设置起始波长为400nm，每隔20nm，重复（3）到（8）步骤测一次量子效率的值。直到780nm为止。
（10）绘制量子效率的曲线。
